Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FQB2N60TM
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
284493FQB2N60TM piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQB2N60TM

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FQB2N60TM
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FQB2N60TM.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D²PAK (TO-263AB)
  • Seeria
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.7 Ohm @ 1.2A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    3.13W (Ta), 64W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    350pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 2.4A (Tc) 3.13W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2.4A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FQB2N60TM" seotud tooted.
FQB2N30TM

FQB2N30TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 2.1A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB22P10TM-F085

FQB22P10TM-F085

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB33N10LTM

FQB33N10LTM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB2N50TM

FQB2N50TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB27N25TM-F085

FQB27N25TM-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB27P06TM

FQB27P06TM

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB25N33TM-F085

FQB25N33TM-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB24N08TM

FQB24N08TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 24A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB2N90TM

FQB2N90TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB32N20CTM

FQB32N20CTM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 28A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB2NA90TM

FQB2NA90TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB2N80TM

FQB2N80TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB30N06LTM

FQB30N06LTM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB2P25TM

FQB2P25TM

Kirjeldus: MOSFET P-CH 250V 2.3A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB2P40TM

FQB2P40TM

Kirjeldus: MOSFET P-CH 400V 2A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB27N25TM_AM002

FQB27N25TM_AM002

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB30N06TM

FQB30N06TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB25N33TM

FQB25N33TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB22P10TM

FQB22P10TM

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB32N12V2TM

FQB32N12V2TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.