Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FQE10N20CTU
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5629633FQE10N20CTU piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQE10N20CTU

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FQE10N20CTU
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FQE10N20CTU.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-126
  • Seeria
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360 mOhm @ 2A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    12.8W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-225AA, TO-126-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    510pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    200V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 200V 4A (Tc) 12.8W (Tc) Through Hole TO-126
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17
Saatmine
Makse
Järgnev on "FQE10N20CTU" seotud tooted.
FQE10N20LCTU

FQE10N20LCTU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 4A TO-126

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SPP03N60C3HKSA1

SPP03N60C3HKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
STD100NH02LT4

STD100NH02LT4

Kirjeldus: MOSFET N-CH 24V 60A DPAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
PMN20EN,115

PMN20EN,115

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6TSOP

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
FDB024N06

FDB024N06

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IPB407N30NATMA1

IPB407N30NATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
AO3434A

AO3434A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
IRF6648TRPBF

IRF6648TRPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IXTC180N085T

IXTC180N085T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH20N100P

IXFH20N100P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
SIHB35N60E-GE3

SIHB35N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IPI100N06S3L-03

IPI100N06S3L-03

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 100A TO-262

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IXTN102N65X2

IXTN102N65X2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IPD90R1K2C3ATMA1

IPD90R1K2C3ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
STB80NE03L-06T4

STB80NE03L-06T4

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
IRFR540ZPBF

IRFR540ZPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
PMZB420UN,315

PMZB420UN,315

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
SIR850DP-T1-GE3

SIR850DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
STP10NK70Z

STP10NK70Z

Kirjeldus: MOSFET N-CH 700V 8.6A TO-220

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
BSC022N03SG

BSC022N03SG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.