Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FQE10N20LCTU
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1878550FQE10N20LCTU piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQE10N20LCTU

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FQE10N20LCTU
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FQE10N20LCTU.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-126
  • Seeria
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360 mOhm @ 2A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    12.8W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-225AA, TO-126-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    490pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19nC @ 5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    200V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 200V 4A (Tc) 12.8W (Tc) Through Hole TO-126
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FQE10N20LCTU" seotud tooted.
TSM080N03EPQ56 RLG

TSM080N03EPQ56 RLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
FDP7030L

FDP7030L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRFM220BTF_FP001

IRFM220BTF_FP001

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRL3202PBF

IRL3202PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 48A TO-220AB

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFB7537PBF

IRFB7537PBF

Kirjeldus: MOSFET N CH 60V 173A TO-220AB

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
NTR4502PT1G

NTR4502PT1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
ATP201-V-TL-H

ATP201-V-TL-H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
STR1P2UH7

STR1P2UH7

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
DMT6016LFDF-7

DMT6016LFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
SSM3K376R,LF

SSM3K376R,LF

Kirjeldus: SMALL LOW RON NCH MOSFETS ID: 4A

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
IRF3805

IRF3805

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRLR3103PBF

IRLR3103PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FQE10N20CTU

FQE10N20CTU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 4A TO-126

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HUFA76429D3ST

HUFA76429D3ST

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
TPC8014(TE12L,Q,M)

TPC8014(TE12L,Q,M)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
FQD18N20V2TM

FQD18N20V2TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
PSMN013-100YSEX

PSMN013-100YSEX

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V LFPAK

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
NTD3055-094T4G

NTD3055-094T4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
RDX100N60FU6

RDX100N60FU6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
IRFB9N65APBF

IRFB9N65APBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.