Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FQNL1N50BBU
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5056901FQNL1N50BBU piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQNL1N50BBU

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FQNL1N50BBU
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FQNL1N50BBU.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.7V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-92L
  • Seeria
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9 Ohm @ 135mA, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.5W (Tc)
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    150pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.5nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    500V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 500V 270mA (Tc) 1.5W (Tc) Through Hole TO-92L
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    270mA (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FQNL1N50BBU" seotud tooted.
FQN1N60CTA

FQN1N60CTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
PSMN1R1-30EL,127

PSMN1R1-30EL,127

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
NTD4965NT4G

NTD4965NT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 68A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQNL2N50BBU

FQNL2N50BBU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
2SK353900L

2SK353900L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
SI2301CDS-T1-E3

SI2301CDS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FQNL2N50BTA

FQNL2N50BTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMFS5H600NLT3G

NTMFS5H600NLT3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 35A 250A 5DFN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRLR8113TR

IRLR8113TR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FQN1N50CBU

FQN1N50CBU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SPP47N10

SPP47N10

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 47A TO-220

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SIHB21N60EF-GE3

SIHB21N60EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
AOL1404G

AOL1404G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 18A 8ULTRASO

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
PMZB1200UPEYL

PMZB1200UPEYL

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V SOT883

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
PMZ370UNEYL

PMZ370UNEYL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
FQNL1N50BTA

FQNL1N50BTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQN1N60CBU

FQN1N60CBU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQN1N50CTA

FQN1N50CTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
STI6N80K5

STI6N80K5

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
NP32N055SDE-E1-AZ

NP32N055SDE-E1-AZ

Kirjeldus: TRANSISTOR

Tootjad: Renesas Electronics America
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.