Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FQNL2N50BTA
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5821948FQNL2N50BTA piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQNL2N50BTA

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.03
10+
$0.912
100+
$0.721
500+
$0.559
1000+
$0.441
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FQNL2N50BTA
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.FQNL2N50BTA.pdf
    2.FQNL2N50BTA.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.7V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-92-3
  • Seeria
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.3 Ohm @ 175mA, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.5W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
  • Muud nimed
    FQNL2N50BTACT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    6 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    230pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    500V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 500V 350mA (Tc) 1.5W (Tc) Through Hole TO-92-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    350mA (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "FQNL2N50BTA" seotud tooted.
FQNL1N50BTA

FQNL1N50BTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SI3429EDV-T1-GE3

SI3429EDV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GP2M010A065H

GP2M010A065H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
FDFMA2P029Z

FDFMA2P029Z

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQNL2N50BBU

FQNL2N50BBU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQN1N50CBU

FQN1N50CBU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BUZ31 E3045A

BUZ31 E3045A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRLR2905ZTRPBF

IRLR2905ZTRPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SIHF7N60E-GE3

SIHF7N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FCD5N60-F085

FCD5N60-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
AOB2910L

AOB2910L

Kirjeldus: MOSFET N CH 100V 6A TO263

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
2SK4222

2SK4222

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 23A TO-3PB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQN1N50CTA

FQN1N50CTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQN1N60CBU

FQN1N60CBU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SI4840BDY-T1-E3

SI4840BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FQN1N60CTA

FQN1N60CTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRF737LCS

IRF737LCS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
AUIRF7769L2TR

AUIRF7769L2TR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
DMN3112SSS-13

DMN3112SSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
FQNL1N50BBU

FQNL1N50BBU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.