Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Isolaatorid > Optoisolators - transistor, fotogalvaaniline välju > H11G2S
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5805033

H11G2S

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    H11G2S
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    H11G2S.pdf
  • Pinge - väljund (max)
    80V
  • Pinge - isolatsioon
    5300Vrms
  • Pinge - edasi (Vf) (tüüp)
    1.3V
  • Vce Saturation (max)
    1V
  • Lülita sisse / välja lülitatud aeg (tüüp)
    5µs, 100µs
  • Pakkuja seadme pakett
    6-SMD
  • Seeria
    -
  • Tõusu / languse aeg (tüüp)
    -
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    6-SMD, Gull Wing
  • Väljundtüüp
    Darlington with Base
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 100°C
  • Kanalite arv
    1
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    DC
  • Täpsem kirjeldus
    Optoisolator Darlington with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-SMD
  • Praegune ülekandetasakaal (min)
    1000% @ 10mA
  • Praegune ülekandetasu (max)
    -
  • Praegune - väljund / kanal
    -
  • Praegune - DC edasi (kui) (max)
    60mA

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22
Saatmine
Makse
Järgnev on "H11G2S" seotud tooted.
H11G23S

H11G23S

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G2SR2VM

H11G2SR2VM

Kirjeldus: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G2300W

H11G2300W

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G2SVM

H11G2SVM

Kirjeldus: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G1SR2VM

H11G1SR2VM

Kirjeldus: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G2300

H11G2300

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G2TVM

H11G2TVM

Kirjeldus: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G1W

H11G1W

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G2W

H11G2W

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G2

H11G2

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G23SD

H11G23SD

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G2M

H11G2M

Kirjeldus: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G2SM

H11G2SM

Kirjeldus: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G2M_F132

H11G2M_F132

Kirjeldus: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G2VM

H11G2VM

Kirjeldus: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G3

H11G3

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G3300

H11G3300

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G2SD

H11G2SD

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G1TVM

H11G1TVM

Kirjeldus: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G2SR2M

H11G2SR2M

Kirjeldus: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.