Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Isolaatorid > Optoisolators - transistor, fotogalvaaniline välju > H11G3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2221650

H11G3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    H11G3
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    H11G3.pdf
  • Pinge - väljund (max)
    55V
  • Pinge - isolatsioon
    5300Vrms
  • Pinge - edasi (Vf) (tüüp)
    1.3V
  • Vce Saturation (max)
    1.2V
  • Lülita sisse / välja lülitatud aeg (tüüp)
    5µs, 100µs
  • Pakkuja seadme pakett
    6-DIP
  • Seeria
    -
  • Tõusu / languse aeg (tüüp)
    -
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Väljundtüüp
    Darlington with Base
  • Muud nimed
    H11G3QT
    H11G3QT-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 100°C
  • Kanalite arv
    1
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    DC
  • Täpsem kirjeldus
    Optoisolator Darlington with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP
  • Praegune ülekandetasakaal (min)
    200% @ 1mA
  • Praegune ülekandetasu (max)
    -
  • Praegune - väljund / kanal
    -
  • Praegune - DC edasi (kui) (max)
    60mA

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "H11G3" seotud tooted.
H11G3W

H11G3W

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G3TM

H11G3TM

Kirjeldus: OPTOISO 7.5KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G2VM

H11G2VM

Kirjeldus: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G2SR2M

H11G2SR2M

Kirjeldus: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G2W

H11G2W

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G33SD

H11G33SD

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G3SR2M

H11G3SR2M

Kirjeldus: OPTOISO 7.5KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G3S

H11G3S

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G3300W

H11G3300W

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G2M_F132

H11G2M_F132

Kirjeldus: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G3SD

H11G3SD

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G33S

H11G33S

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G2SM

H11G2SM

Kirjeldus: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G2SD

H11G2SD

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G3300

H11G3300

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G2SR2VM

H11G2SR2VM

Kirjeldus: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G2S

H11G2S

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G2TVM

H11G2TVM

Kirjeldus: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G2SVM

H11G2SVM

Kirjeldus: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11G3M

H11G3M

Kirjeldus: OPTOISO 7.5KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.