Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > HGT1S2N120CN
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2376359

HGT1S2N120CN

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    HGT1S2N120CN
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    HGT1S2N120CN.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    1200V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 2.6A
  • Testimise tingimus
    960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    25ns/205ns
  • Switching Energy
    96µJ (on), 355µJ (off)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-262
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    104W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    NPT
  • Väravad
    30nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT NPT 1200V 13A 104W Through Hole TO-262
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    20A
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    13A

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "HGT1S2N120CN" seotud tooted.
HGTD7N60C3S9A

HGTD7N60C3S9A

Kirjeldus: IGBT 600V 14A 60W TO252AA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST

Kirjeldus: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGT1S7N60A4DS

HGT1S7N60A4DS

Kirjeldus: IGBT 600V 34A 125W TO263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGT1S10N120BNS

HGT1S10N120BNS

Kirjeldus: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGT1S12N60A4S9A

HGT1S12N60A4S9A

Kirjeldus: IGBT 600V 54A 167W TO263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGT1S20N60A4S9A

HGT1S20N60A4S9A

Kirjeldus: IGBT 600V 70A 290W TO263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGT1S7N60C3DS9A

HGT1S7N60C3DS9A

Kirjeldus: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

Kirjeldus: IGBT 1200V 35A 298W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG11N120CN

HGTG11N120CN

Kirjeldus: IGBT 1200V 43A 298W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGT1S20N36G3VL

HGT1S20N36G3VL

Kirjeldus: IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGT1S20N35G3VLS

HGT1S20N35G3VLS

Kirjeldus: IGBT 380V 20A 150W TO263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGT1S3N60A4DS9A

HGT1S3N60A4DS9A

Kirjeldus: IGBT 600V 17A 70W D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGT1S14N36G3VLT

HGT1S14N36G3VLT

Kirjeldus: IGBT 390V 18A 100W TO262AA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGT1S14N36G3VLS

HGT1S14N36G3VLS

Kirjeldus: IGBT 390V 18A 100W TO263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTD3N60C3S9A

HGTD3N60C3S9A

Kirjeldus: IGBT 600V 6A 33W TO252AA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG11N120CND

HGTG11N120CND

Kirjeldus: IGBT 1200V 43A 298W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGT1S20N60C3S9A

HGT1S20N60C3S9A

Kirjeldus: IGBT 600V 45A 164W TO263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGT1S7N60C3DS

HGT1S7N60C3DS

Kirjeldus: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

Kirjeldus: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS

Kirjeldus: IGBT 600V 54A 167W D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.