Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > HGTG11N120CN
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6591354HGTG11N120CN piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

HGTG11N120CN

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    HGTG11N120CN
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 1200V 43A 298W TO247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    HGTG11N120CN.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    1200V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 11A
  • Testimise tingimus
    960V, 11A, 10 Ohm, 15V
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    23ns/180ns
  • Switching Energy
    400µJ (on), 1.3mJ (off)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    298W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    NPT
  • Väravad
    100nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT NPT 1200V 43A 298W Through Hole TO-247
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    80A
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    43A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "HGTG11N120CN" seotud tooted.
HGTG20N60B3

HGTG20N60B3

Kirjeldus: IGBT 600V 40A 165W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGT1S3N60A4DS9A

HGT1S3N60A4DS9A

Kirjeldus: IGBT 600V 17A 70W D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTD7N60C3S9A

HGTD7N60C3S9A

Kirjeldus: IGBT 600V 14A 60W TO252AA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

Kirjeldus: IGBT 1200V 35A 298W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG20N60A4D

HGTG20N60A4D

Kirjeldus: IGBT 600V 70A 290W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGT1S7N60C3DS9A

HGT1S7N60C3DS9A

Kirjeldus: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTD3N60C3S9A

HGTD3N60C3S9A

Kirjeldus: IGBT 600V 6A 33W TO252AA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

Kirjeldus: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG12N60A4D

HGTG12N60A4D

Kirjeldus: IGBT 600V 54A 167W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG18N120BND

HGTG18N120BND

Kirjeldus: IGBT 1200V 54A 390W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG12N60B3

HGTG12N60B3

Kirjeldus: IGBT 600V 27A 104W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGT1S7N60A4DS

HGT1S7N60A4DS

Kirjeldus: IGBT 600V 34A 125W TO263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGT1S7N60C3DS

HGT1S7N60C3DS

Kirjeldus: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG11N120CND

HGTG11N120CND

Kirjeldus: IGBT 1200V 43A 298W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG12N60C3D

HGTG12N60C3D

Kirjeldus: IGBT 600V 24A 104W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGT1S2N120CN

HGT1S2N120CN

Kirjeldus: IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG18N120BN

HGTG18N120BN

Kirjeldus: IGBT 1200V 54A 390W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG12N60A4

HGTG12N60A4

Kirjeldus: IGBT 600V 54A 167W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGT1S20N60C3S9A

HGT1S20N60C3S9A

Kirjeldus: IGBT 600V 45A 164W TO263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG20N60A4

HGTG20N60A4

Kirjeldus: IGBT 600V 70A 290W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.