Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > HGTG30N60B3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

2632521

HGTG30N60B3 pilt

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HGTG30N60B3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

1+

$5.19

10+

$4.662

450+

$3.624

900+

$3.252

1350+

$2.742

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

HGTG30N60B3
Tootja / bränd

AMI Semiconductor/onsemi
Varukogus

Laos
Kirjeldus

IGBT 600V 60A 208W TO247
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

HGTG30N60B3.pdf
Pinge - koguja emitteri jaotus (max)

600V
Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A
Testimise tingimus

480V, 30A, 3 Ohm, 15V
Td (sisse / välja) @ 25 ° C

36ns/137ns
Switching Energy

500µJ (on), 680µJ (off)
Pakkuja seadme pakett

TO-247
Seeria

-
Võimsus - maks

208W
Pakend

Tube
Pakett / kott

TO-247-3
Muud nimed

HGTG30N60B3-ND
HGTG30N60B3FS
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Through Hole
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendi tüüp

Standard
IGBT tüüp

-
Väravad

170nC
Täpsem kirjeldus

IGBT 600V 60A 208W Through Hole TO-247
Praegune - kollektori impulss (Icm)

220A
Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)

60A
Baasosa number

HGTG30N60

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "HGTG30N60B3" seotud tooted.

HGTG20N60A4D

Kirjeldus: IGBT 600V 70A 290W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

HGTG30N60A4

Kirjeldus: IGBT 600V 75A 463W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

HGTG40N60B3

Kirjeldus: IGBT 600V 70A 290W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

HGTP12N60A4

HGTP12N60A4

Kirjeldus: IGBT 600V 54A 167W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

HGTG20N60A4

Kirjeldus: IGBT 600V 70A 290W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

HGTG40N60A4

Kirjeldus: IGBT 600V 75A 625W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

HGTG20N60B3

Kirjeldus: IGBT 600V 40A 165W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

HGTG20N60C3D

Kirjeldus: IGBT 600V 45A 164W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

HGTG27N120BN

Kirjeldus: IGBT 1200V 72A 500W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

HGTG30N60B3D

Kirjeldus: IGBT 600V 60A 208W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

HGTG30N60A4D

Kirjeldus: IGBT 600V 75A 463W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

HGTG20N60B3D

Kirjeldus: IGBT 600V 40A 165W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

HGTP10N120BN

HGTP10N120BN

Kirjeldus: IGBT 1200V 35A 298W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

HGTG30N60C3D

Kirjeldus: IGBT 600V 63A 208W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

HGTG18N120BND

Kirjeldus: IGBT 1200V 54A 390W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

HGTG18N120BN

Kirjeldus: IGBT 1200V 54A 390W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

HGTG7N60A4D

Kirjeldus: IGBT 600V 34A 125W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

HGTP12N60A4D

HGTP12N60A4D

Kirjeldus: IGBT 600V 54A 167W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

HGTG7N60A4

Kirjeldus: IGBT 600V 34A 125W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

HGTG5N120BND

Kirjeldus: IGBT 1200V 21A 167W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.