Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > HGTP10N120BN
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
423522

HGTP10N120BN

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
800+
$1.962
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    HGTP10N120BN
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.HGTP10N120BN.pdf
    2.HGTP10N120BN.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    1200V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 10A
  • Testimise tingimus
    960V, 10A, 10 Ohm, 15V
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    23ns/165ns
  • Switching Energy
    320µJ (on), 800µJ (off)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220AB
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    298W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-3
  • Muud nimed
    HGTP10N120BN-ND
    HGTP10N120BNFS
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    NPT
  • Väravad
    100nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT NPT 1200V 35A 298W Through Hole TO-220AB
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    80A
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    35A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "HGTP10N120BN" seotud tooted.
HGTG40N60A4

HGTG40N60A4

Kirjeldus: IGBT 600V 75A 625W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTP3N60A4

HGTP3N60A4

Kirjeldus: IGBT 600V 17A 70W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTP12N60A4

HGTP12N60A4

Kirjeldus: IGBT 600V 54A 167W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTP7N60A4

HGTP7N60A4

Kirjeldus: IGBT 600V 34A 125W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG30N60A4

HGTG30N60A4

Kirjeldus: IGBT 600V 75A 463W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTP3N60A4D

HGTP3N60A4D

Kirjeldus: IGBT 600V 17A 70W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTP20N60A4

HGTP20N60A4

Kirjeldus: IGBT 600V 70A 290W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG40N60B3

HGTG40N60B3

Kirjeldus: IGBT 600V 70A 290W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTP12N60C3

HGTP12N60C3

Kirjeldus: IGBT 600V 24A 104W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG30N60C3D

HGTG30N60C3D

Kirjeldus: IGBT 600V 63A 208W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG5N120BND

HGTG5N120BND

Kirjeldus: IGBT 1200V 21A 167W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG30N60B3

HGTG30N60B3

Kirjeldus: IGBT 600V 60A 208W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTP12N60C3D

HGTP12N60C3D

Kirjeldus: IGBT 600V 24A 104W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTP2N120CN

HGTP2N120CN

Kirjeldus: IGBT 1200V 13A 104W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG30N60A4D

HGTG30N60A4D

Kirjeldus: IGBT 600V 75A 463W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG7N60A4D

HGTG7N60A4D

Kirjeldus: IGBT 600V 34A 125W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTP5N120BND

HGTP5N120BND

Kirjeldus: IGBT 1200V 21A 167W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG30N60B3D

HGTG30N60B3D

Kirjeldus: IGBT 600V 60A 208W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG7N60A4

HGTG7N60A4

Kirjeldus: IGBT 600V 34A 125W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTP12N60A4D

HGTP12N60A4D

Kirjeldus: IGBT 600V 54A 167W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.