Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > HGTP5N120BND
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5413864

HGTP5N120BND

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
800+
$1.82
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    HGTP5N120BND
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.HGTP5N120BND.pdf
    2.HGTP5N120BND.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    1200V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 5A
  • Testimise tingimus
    960V, 5A, 25 Ohm, 15V
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    22ns/160ns
  • Switching Energy
    450µJ (on), 390µJ (off)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220AB
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    65ns
  • Võimsus - maks
    167W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    NPT
  • Väravad
    53nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT NPT 1200V 21A 167W Through Hole TO-220AB
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    40A
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    21A

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "HGTP5N120BND" seotud tooted.
HGTP12N60A4

HGTP12N60A4

Kirjeldus: IGBT 600V 54A 167W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTP7N60A4

HGTP7N60A4

Kirjeldus: IGBT 600V 34A 125W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTP3N60A4

HGTP3N60A4

Kirjeldus: IGBT 600V 17A 70W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTP7N60A4D

HGTP7N60A4D

Kirjeldus: IGBT 600V 34A 125W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTP12N60C3D

HGTP12N60C3D

Kirjeldus: IGBT 600V 24A 104W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTP10N120BN

HGTP10N120BN

Kirjeldus: IGBT 1200V 35A 298W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTP7N60A4-F102

HGTP7N60A4-F102

Kirjeldus: N-CH / 7A 600V SMPS 1 IGBT

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG40N60B3

HGTG40N60B3

Kirjeldus: IGBT 600V 70A 290W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG40N60A4

HGTG40N60A4

Kirjeldus: IGBT 600V 75A 625W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTP20N60A4

HGTP20N60A4

Kirjeldus: IGBT 600V 70A 290W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTP12N60A4D

HGTP12N60A4D

Kirjeldus: IGBT 600V 54A 167W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG5N120BND

HGTG5N120BND

Kirjeldus: IGBT 1200V 21A 167W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTP3N60A4D

HGTP3N60A4D

Kirjeldus: IGBT 600V 17A 70W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTP2N120CN

HGTP2N120CN

Kirjeldus: IGBT 1200V 13A 104W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTP12N60C3

HGTP12N60C3

Kirjeldus: IGBT 600V 24A 104W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG7N60A4

HGTG7N60A4

Kirjeldus: IGBT 600V 34A 125W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTP7N60C3D

HGTP7N60C3D

Kirjeldus: IGBT 600V 14A 60W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG30N60C3D

HGTG30N60C3D

Kirjeldus: IGBT 600V 63A 208W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTP7N60B3D

HGTP7N60B3D

Kirjeldus: IGBT 600V 14A 60W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HGTG7N60A4D

HGTG7N60A4D

Kirjeldus: IGBT 600V 34A 125W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.