Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > ISL9N303AS3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

3798246

ISL9N303AS3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

ISL9N303AS3
Tootja / bränd

AMI Semiconductor/onsemi
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

ISL9N303AS3.pdf
ECAD -mudel
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (max)

±20V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

I2PAK (TO-262)
Seeria

UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2 mOhm @ 75A, 10V
Voolukatkestus (max)

215W (Tc)
Pakend

Tube
Pakett / kott

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Through Hole
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

7000pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

172nC @ 10V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

30V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 30V 75A (Tc) 215W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

Saatmine

Makse

Järgnev on "ISL9N303AS3" seotud tooted.

ISL9K460P3

ISL9K460P3

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 600V 4A TO220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

ISL9K30120G3

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

ISL9R1560P2

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

ISL9K3060G3

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

ISL9N302AP3

ISL9N302AP3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

ISL9N302AS3

ISL9N302AS3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

ISL9K8120P3

ISL9K8120P3

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 1200V 8A TO220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

ISL9R1560G2

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 15A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

ISL9R18120S3ST

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

ISL9N302AS3ST

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

ISL9R1560PF2

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

ISL9R18120G2

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

ISL9R18120P2

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO220AC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

ISL9R1560P2-F085

ISL9R1560P2-F085

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

ISL9K18120G3

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 1200V 18A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

ISL9N303AP3

ISL9N303AP3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

ISL9R1560G2-F085

ISL9R1560G2-F085

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 15A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

ISL9K860P3

ISL9K860P3

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

ISL9R1560S3ST

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263-2

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

ISL9N303AS3ST

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Uudised Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.