Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > ISL9R18120G2
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4877582ISL9R18120G2 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

ISL9R18120G2

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$3.59
10+
$3.224
450+
$2.506
900+
$2.249
1350+
$1.897
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ISL9R18120G2
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    ISL9R18120G2.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    3.3V @ 18A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    1200V
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247-2
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    Stealth™
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    70ns
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-2
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 1200V 18A Through Hole TO-247-2
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    100µA @ 1200V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    18A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -
  • Baasosa number
    ISL9R18120

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "ISL9R18120G2" seotud tooted.
ISL9R1560G2

ISL9R1560G2

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 15A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
ISL9R18120S3ST

ISL9R18120S3ST

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
ISL9N302AS3ST

ISL9N302AS3ST

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
ISL9R3060G2-F085

ISL9R3060G2-F085

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
ISL9R460S3ST

ISL9R460S3ST

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 4A TO263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
ISL9R1560PF2

ISL9R1560PF2

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
ISL9N303AP3

ISL9N303AP3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
ISL9N303AS3

ISL9N303AS3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
ISL9R3060G2

ISL9R3060G2

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
ISL9N303AS3ST

ISL9N303AS3ST

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
ISL9R8120P2

ISL9R8120P2

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2L

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
ISL9R18120P2

ISL9R18120P2

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO220AC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
ISL9R1560S3ST

ISL9R1560S3ST

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263-2

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
ISL9R460PF2

ISL9R460PF2

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
ISL9R1560G2-F085

ISL9R1560G2-F085

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 15A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
ISL9R460P2

ISL9R460P2

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
ISL9R1560P2-F085

ISL9R1560P2-F085

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
ISL9R3060P2

ISL9R3060P2

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
ISL9R30120G2

ISL9R30120G2

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
ISL9R1560P2

ISL9R1560P2

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.