Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > MVGSF1N02LT1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1412363MVGSF1N02LT1G piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MVGSF1N02LT1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.175
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MVGSF1N02LT1G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    MVGSF1N02LT1G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90 mOhm @ 1.2A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    400mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    MVGSF1N02LT1G-ND
    MVGSF1N02LT1GOSTR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    125pF @ 5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 750mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    750mA (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "MVGSF1N02LT1G" seotud tooted.
STS8N6LF6AG

STS8N6LF6AG

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
IPW65R045C7300XKSA1

IPW65R045C7300XKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V TO-247-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
MVGSF1N03LT1G

MVGSF1N03LT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MVG24-110/32DFX-BOTTLE

MVG24-110/32DFX-BOTTLE

Kirjeldus: CONN QC RCPT 20-26AWG 0.11 100PC

Tootjad: 3M
Laos
RFQ
DMTH6016LPS-13

DMTH6016LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
FQPF10N60CT

FQPF10N60CT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HUFA76443P3

HUFA76443P3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
TSM120NA03CR RLG

TSM120NA03CR RLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
SI3456CDV-T1-GE3

SI3456CDV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
DMN7022LFG-7

DMN7022LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
SI1426DH-T1-GE3

SI1426DH-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BSZ160N10NS3GATMA1

BSZ160N10NS3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
MVG24-110DFK

MVG24-110DFK

Kirjeldus: CONN QC RCPT 20-26AWG 0.110

Tootjad: 3M
Laos
RFQ
STP185N10F3

STP185N10F3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 120A TO220

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
NTD50N03R

NTD50N03R

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
2N7000RLRMG

2N7000RLRMG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IPU80R2K4P7AKMA1

IPU80R2K4P7AKMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI7758DP-T1-GE3

SI7758DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
TK90S06N1L,LQ

TK90S06N1L,LQ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
SIHP050N60E-GE3

SIHP050N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.