Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMTH6016LPS-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6345590DMTH6016LPS-13 piltDiodes Incorporated

DMTH6016LPS-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.23
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMTH6016LPS-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    DMTH6016LPS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerDI5060-8
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    3W (Ta), 37.5W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-PowerTDFN
  • Muud nimed
    DMTH6016LPS-13DITR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    20 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    864pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 10.6A (Ta), 37.1A (Tc) 3W (Ta), 37.5W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    10.6A (Ta), 37.1A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMTH6016LPS-13" seotud tooted.
DMTH6010LPDQ-13

DMTH6010LPDQ-13

Kirjeldus: MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6016LPSQ-13

DMTH6016LPSQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6016LSD-13

DMTH6016LSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6009LPS-13

DMTH6009LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH8012LK3-13

DMTH8012LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 50A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6010LPD-13

DMTH6010LPD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH8012LK3Q-13

DMTH8012LK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 80V 50A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6016LSDQ-13

DMTH6016LSDQ-13

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6010SCT

DMTH6010SCT

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6010SK3Q-13

DMTH6010SK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 16.3A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTT-1000

DMTT-1000

Kirjeldus: XFRMR LAMINATED 1000VA CHAS MNT

Tootjad: Bel
Laos
RFQ
DMTH6010SK3-13

DMTH6010SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 16.3A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6010LK3Q-13

DMTH6010LK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6010LPSQ-13

DMTH6010LPSQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6010LK3-13

DMTH6010LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH8012LPSQ-13

DMTH8012LPSQ-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 80V 10A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTT-300

DMTT-300

Kirjeldus: XFRMR LAMINATED 300VA CHAS MOUNT

Tootjad: Bel
Laos
RFQ
DMTH8012LPS-13

DMTH8012LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6010LPS-13

DMTH6010LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH8012LPSW-13

DMTH8012LPSW-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 53.7A POWERDI506

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.