Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - massiivid, eelhi > NSB13211DW6T1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4762139NSB13211DW6T1G piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSB13211DW6T1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NSB13211DW6T1G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NSB13211DW6T1G.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 1mA, 10mA
  • Transistori tüüp
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Pakkuja seadme pakett
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Seeria
    -
  • Takisti - emitteri alus (R2)
    4.7 kOhms, 10 kOhms
  • Takisti - alus (R1)
    4.7 kOhms, 10 kOhms
  • Võimsus - maks
    230mW
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sagedus - üleminek
    -
  • Täpsem kirjeldus
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    500nA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    100mA

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "NSB13211DW6T1G" seotud tooted.
NSB8DT-E3/45

NSB8DT-E3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8BT-E3/45

NSB8BT-E3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8BTHE3_A/P

NSB8BTHE3_A/P

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8DT-E3/81

NSB8DT-E3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB12ANT3G

NSB12ANT3G

Kirjeldus: TVS DIODE 12V 19.9V SMB

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
NSB8BTHE3_A/I

NSB8BTHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8BTHE3/81

NSB8BTHE3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8AT-E3/45

NSB8AT-E3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8BTHE3/45

NSB8BTHE3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8ATHE3_A/P

NSB8ATHE3_A/P

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB1706DMW5T1

NSB1706DMW5T1

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSB8ATHE3/45

NSB8ATHE3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8BT-E3/81

NSB8BT-E3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8ATHE3/81

NSB8ATHE3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8DTHE3/45

NSB8DTHE3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB4904DW1T1G

NSB4904DW1T1G

Kirjeldus: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSB8ATHE3_A/I

NSB8ATHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB13ANT3G

NSB13ANT3G

Kirjeldus: TVS DIODE 13V 21.5V SMB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSB1706DMW5T1G

NSB1706DMW5T1G

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSB8AT-E3/81

NSB8AT-E3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.