Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - massiivid, eelhi > NSBA113EDXV6T1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3833893NSBA113EDXV6T1 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBA113EDXV6T1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NSBA113EDXV6T1
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    NSBA113EDXV6T1.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 10mA
  • Transistori tüüp
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-563
  • Seeria
    -
  • Takisti - emitteri alus (R2)
    1 kOhms
  • Takisti - alus (R1)
    1 kOhms
  • Võimsus - maks
    500mW
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SOT-563, SOT-666
  • Muud nimed
    NSBA113EDXV6T1OS
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Sagedus - üleminek
    -
  • Täpsem kirjeldus
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    3 @ 5mA, 10V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    500nA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    100mA
  • Baasosa number
    NSBA1*

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "NSBA113EDXV6T1" seotud tooted.
NSBA114TDXV6T1

NSBA114TDXV6T1

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSB8MT-E3/81

NSB8MT-E3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSBA114TDP6T5G

NSBA114TDP6T5G

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSB8KTHE3_A/P

NSB8KTHE3_A/P

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSBA114EDP6T5G

NSBA114EDP6T5G

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSB8MTHE3/45

NSB8MTHE3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSBA113EDXV6T1G

NSBA113EDXV6T1G

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSBA114EDXV6T1G

NSBA114EDXV6T1G

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSB9703

NSB9703

Kirjeldus: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'

Tootjad: Desco
Laos
RFQ
NSBA114EDXV6T5

NSBA114EDXV6T5

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSBA114EDXV6T5G

NSBA114EDXV6T5G

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSBA113EF3T5G

NSBA113EF3T5G

Kirjeldus: TRANS PREBIAS DUAL PNP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSB8MTHE3_A/I

NSB8MTHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8MTHE3_A/P

NSB8MTHE3_A/P

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB9435T1G

NSB9435T1G

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSB8MTHE3/81

NSB8MTHE3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8MT-E3/45

NSB8MT-E3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8KTHE3_A/I

NSB8KTHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSBA114TDXV6T5

NSBA114TDXV6T5

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSBA114EF3T5G

NSBA114EF3T5G

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.