Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > NSB8MTHE3/45
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6407241NSB8MTHE3/45 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

NSB8MTHE3/45

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NSB8MTHE3/45
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.NSB8MTHE3/45.pdf
    2.NSB8MTHE3/45.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.1V @ 8A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    1000V
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-263AB
  • Kiirus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 1000V 8A Surface Mount TO-263AB
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    10µA @ 1000V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    8A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    55pF @ 4V, 1MHz
  • Baasosa number
    NSB8M

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "NSB8MTHE3/45" seotud tooted.
NSB8MTHE3_A/I

NSB8MTHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSBA114EDP6T5G

NSBA114EDP6T5G

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSBA114EDXV6T1G

NSBA114EDXV6T1G

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSB9435T1G

NSB9435T1G

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSB8JTHE3_A/I

NSB8JTHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8KTHE3_A/I

NSB8KTHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSBA113EDXV6T1G

NSBA113EDXV6T1G

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSB8KTHE3/45

NSB8KTHE3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSBA113EF3T5G

NSBA113EF3T5G

Kirjeldus: TRANS PREBIAS DUAL PNP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSB8MTHE3_A/P

NSB8MTHE3_A/P

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8MT-E3/45

NSB8MT-E3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8KTHE3_A/P

NSB8KTHE3_A/P

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8MTHE3/81

NSB8MTHE3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB9703

NSB9703

Kirjeldus: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'

Tootjad: Desco
Laos
RFQ
NSB8KT-E3/81

NSB8KT-E3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8KTHE3/81

NSB8KTHE3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8MT-E3/81

NSB8MT-E3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8JTHE3_A/P

NSB8JTHE3_A/P

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSBA113EDXV6T1

NSBA113EDXV6T1

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSB8KT-E3/45

NSB8KT-E3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.