Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > NTJS4160NT1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6834102NTJS4160NT1G piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTJS4160NT1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NTJS4160NT1G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NTJS4160NT1G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60 mOhm @ 2.6A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    300mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Muud nimed
    NTJS4160NT1G-ND
    NTJS4160NT1GOSTR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    230pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.75nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 1.8A (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    1.8A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "NTJS4160NT1G" seotud tooted.
NTJD4401NT2G

NTJD4401NT2G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJS4405NT1

NTJS4405NT1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJS3157NT1G

NTJS3157NT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJS4151PT1G

NTJS4151PT1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJS4405NT1G

NTJS4405NT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJD4401NT4

NTJD4401NT4

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJS3157NT2

NTJS3157NT2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJD5121NT1G

NTJD5121NT1G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJD5121NT2G

NTJD5121NT2G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJS4405NT4

NTJS4405NT4

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJS3157NT2G

NTJS3157NT2G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJS3157NT4

NTJS3157NT4

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJS3157NT4G

NTJS3157NT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJS3151PT1G

NTJS3151PT1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJD4401NT4G

NTJD4401NT4G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJD4401NT1G

NTJD4401NT1G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJS4151PT1

NTJS4151PT1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJS3151PT2G

NTJS3151PT2G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJS4405NT4G

NTJS4405NT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJS3151PT2

NTJS3151PT2

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.