Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > NVB5860NLT4G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1743633NVB5860NLT4G piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVB5860NLT4G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
800+
$2.828
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NVB5860NLT4G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NVB5860NLT4G.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D2PAK-3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    283W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    13216pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    220nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 220A (Ta) 283W (Tc) Surface Mount D2PAK-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    220A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "NVB5860NLT4G" seotud tooted.
NVB6412ANT4G

NVB6412ANT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IXFN44N80

IXFN44N80

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
BUZ73A H

BUZ73A H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI2377EDS-T1-GE3

SI2377EDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NVB6410ANT4G

NVB6410ANT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVB60N06T4G

NVB60N06T4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVB5426NT4G

NVB5426NT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SIHG73N60E-GE3

SIHG73N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
HUFA75337S3S

HUFA75337S3S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IPI70N04S307AKSA1

IPI70N04S307AKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
NVB6411ANT4G

NVB6411ANT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVB6413ANT4G

NVB6413ANT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVB5405NT4G

NVB5405NT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 16.5A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVB25P06T4G

NVB25P06T4G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
DMT6015LFV-7

DMT6015LFV-7

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
NVB5404NT4G

NVB5404NT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVB5860NT4G

NVB5860NT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IXFX48N50Q

IXFX48N50Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 48A PLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IRFR7746PBF

IRFR7746PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
NVBP

NVBP

Kirjeldus: VERTICAL BLANKING PANELS WITH PA

Tootjad: Panduit
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.