Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > NVB6412ANT4G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5057849NVB6412ANT4G piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVB6412ANT4G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
800+
$0.954
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NVB6412ANT4G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NVB6412ANT4G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D2PAK-3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18.2 mOhm @ 58A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    167W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    3500pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    100nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 58A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount D2PAK-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    58A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "NVB6412ANT4G" seotud tooted.
NVB6411ANT4G

NVB6411ANT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
TK31N60W5,S1VF

TK31N60W5,S1VF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
NVB5860NT4G

NVB5860NT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVB6410ANT4G

NVB6410ANT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SIHG21N60EF-GE3

SIHG21N60EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NVBP

NVBP

Kirjeldus: VERTICAL BLANKING PANELS WITH PA

Tootjad: Panduit
Laos
RFQ
SI2304DDS-T1-GE3

SI2304DDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NVB5404NT4G

NVB5404NT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVB5860NLT4G

NVB5860NLT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
STS9NF3LL

STS9NF3LL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
NVB5405NT4G

NVB5405NT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 16.5A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRFR9014NTRL

IRFR9014NTRL

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NVB25P06T4G

NVB25P06T4G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQP2N60C

FQP2N60C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 2A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVB60N06T4G

NVB60N06T4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQPF17N08L

FQPF17N08L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 11.2A TO-220F

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTD24N06-1G

NTD24N06-1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVB6413ANT4G

NVB6413ANT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVB5426NT4G

NVB5426NT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.