Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > NVC3S5A51PLZT1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5310721NVC3S5A51PLZT1G piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVC3S5A51PLZT1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.255
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NVC3S5A51PLZT1G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NVC3S5A51PLZT1G.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.6V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    3-CPH
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    250 mOhm @ 1A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.2W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    NVC3S5A51PLZT1G-ND
    NVC3S5A51PLZT1GOSTR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    12 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    262pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 60V 1.8A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 3-CPH
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    1.8A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "NVC3S5A51PLZT1G" seotud tooted.
IPP90R800C3XKSA1

IPP90R800C3XKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-220

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IXKK85N60C

IXKK85N60C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 85A TO-264

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
TP5322N8-G

TP5322N8-G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3

Tootjad: Micrel / Microchip Technology
Laos
RFQ
AON6404A_001

AON6404A_001

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 25A DFN5X6

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
IPD180N10N3GBTMA1

IPD180N10N3GBTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
BUK6212-40C,118

BUK6212-40C,118

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
BUK7535-55A,127

BUK7535-55A,127

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 35A TO220AB

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
BSP295L6327HTSA1

BSP295L6327HTSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
NTP5411NG

NTP5411NG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVC6S5A354PLZT1G

NVC6S5A354PLZT1G

Kirjeldus: MOSFET P-CHANNEL 60V 4A 6-CPH

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IXFC30N60P

IXFC30N60P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IRF3709ZSTRR

IRF3709ZSTRR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI7882DP-T1-E3

SI7882DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
STI23NM60N

STI23NM60N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
IRL3715ZL

IRL3715ZL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 50A TO-262

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
BUK9E2R3-40E,127

BUK9E2R3-40E,127

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
IPF09N03LA G

IPF09N03LA G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
TPCA8045-H(T2L1,VM

TPCA8045-H(T2L1,VM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 46A 8-SOP ADV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
AUIRF7478Q

AUIRF7478Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.