Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > NVC6S5A354PLZT1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
352053NVC6S5A354PLZT1G piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVC6S5A354PLZT1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.263
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NVC6S5A354PLZT1G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CHANNEL 60V 4A 6-CPH
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NVC6S5A354PLZT1G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.6V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    6-CPH
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100 mOhm @ 2A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.9W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Muud nimed
    NVC6S5A354PLZT1G-ND
    NVC6S5A354PLZT1GOSTR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    13 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    600pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 60V 4A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-CPH
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4A (Ta)

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17
Saatmine
Makse
Järgnev on "NVC6S5A354PLZT1G" seotud tooted.
IRF6785MTR1PBF

IRF6785MTR1PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPC60R199CPX1SA1

IPC60R199CPX1SA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH BARE DIE

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
BUK768R1-100E,118

BUK768R1-100E,118

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
STB33N65M2

STB33N65M2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
IXFA30N60X

IXFA30N60X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
BUK952R3-40E,127

BUK952R3-40E,127

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
VS-FC420SA10

VS-FC420SA10

Kirjeldus: POWER MODULE 100V 435A SOT-227

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7457DP-T1-E3

SI7457DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NVD5890NLT4G-VF01

NVD5890NLT4G-VF01

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 123A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
TK16A60W5,S4VX

TK16A60W5,S4VX

Kirjeldus: MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
IRFR9024NTRR

IRFR9024NTRR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
BUK9Y14-80E,115

BUK9Y14-80E,115

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V LFPAK

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
FQPF9N90CT

FQPF9N90CT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BUK7905-40ATE,127

BUK7905-40ATE,127

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
BVSS84LT1G

BVSS84LT1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
STR2P3LLH6

STR2P3LLH6

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
FQD4P25TM

FQD4P25TM

Kirjeldus: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVC3S5A51PLZT1G

NVC3S5A51PLZT1G

Kirjeldus: MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BSS127H6327XTSA1

BSS127H6327XTSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.