Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SSU1N50BTU
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5097677SSU1N50BTU piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

SSU1N50BTU

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
5040+
$0.47
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SSU1N50BTU
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SSU1N50BTU.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-251 (IPAK)
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.3 Ohm @ 650mA, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.5W (Ta), 26W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    340pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    520V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 520V 1.3A (Tc) 2.5W (Ta), 26W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    1.3A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SSU1N50BTU" seotud tooted.
IPD50R380CEAUMA1

IPD50R380CEAUMA1

Kirjeldus: MOSFET NCH 500V 14.1A TO252

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SSURHD8560W1T4G

SSURHD8560W1T4G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
STD120N4F6

STD120N4F6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STB12NM60N-1

STB12NM60N-1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
IRFI740BTU

IRFI740BTU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
TSM070NB04LCR RLG

TSM070NB04LCR RLG

Kirjeldus: MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
PSMN2R1-60CSJ

PSMN2R1-60CSJ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V D2PAK

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
SSU1N60BTU-WS

SSU1N60BTU-WS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
AOL1432A

AOL1432A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 12A 8ULTRASO

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
FQU11P06TU

FQU11P06TU

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IPD14N06S280ATMA1

IPD14N06S280ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
AON6508_101

AON6508_101

Kirjeldus: MOSFET N-CH DFN

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
FDS2070N3

FDS2070N3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQI5N30TU

FQI5N30TU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 5.4A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BTS247ZAKSA1

BTS247ZAKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FQAF5N90

FQAF5N90

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 4.1A TO-3PF

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMS5P02R2SG

NTMS5P02R2SG

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SSUH-003T-P0.15

SSUH-003T-P0.15

Kirjeldus: CONTACT

Tootjad: JST
Laos
RFQ
ZXM62N03E6TA

ZXM62N03E6TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
IRF6720S2TR1PBF

IRF6720S2TR1PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.