Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > AS4C16M16SA-7BCN

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

4872435

AS4C16M16SA-7BCN pilt

Alliance Memory, Inc.

AS4C16M16SA-7BCN

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

1+

$5.12

10+

$4.644

25+

$4.544

50+

$4.518

100+

$4.052

348+

$4.037

696+

$3.888

1044+

$3.697

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

AS4C16M16SA-7BCN
Tootja / bränd

Alliance Memory, Inc.
Varukogus

Laos
Kirjeldus

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

AS4C16M16SA-7BCN.pdf
Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg

14ns
Pinge - varustus

3 V ~ 3.6 V
Tehnoloogia

SDRAM
Pakkuja seadme pakett

54-TFBGA (8x8)
Seeria

-
Pakend

Tray
Pakett / kott

54-TFBGA
Muud nimed

1450-1254
Töötemperatuur

0°C ~ 70°C (TA)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

3 (168 Hours)
Mälu tüüp

Volatile
Mälu suurus

256Mb (16M x 16)
Mäluliides

Parallel
Mäluportaal

DRAM
Tootja Standardne pliiaeg

8 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Täpsem kirjeldus

SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 143MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x8)
Kellade sagedus

143MHz
Juurdepääsuaeg

5.4ns

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "AS4C16M16SA-7BCN" seotud tooted.

AS4C16M16SA-6TCNTR

AS4C16M16SA-6TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.

Laos

AS4C16M16SA-6TCN

AS4C16M16SA-6TCN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.

Laos

AS4C16M16SA-6TIN

AS4C16M16SA-6TIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.

Laos

AS4C16M32MD1-5BINTR

AS4C16M32MD1-5BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.

Laos

AS4C16M32MD1-5BIN

AS4C16M32MD1-5BIN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.

Laos

AS4C16M16SA-6TINTR

AS4C16M16SA-6TINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.

Laos

AS4C16M16SA-6TANTR

AS4C16M16SA-6TANTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.

Laos

AS4C16M16SA-6BANTR

AS4C16M16SA-6BANTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.

Laos

AS4C16M16SA-6BAN

AS4C16M16SA-6BAN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.

Laos

AS4C16M16SA-6BINTR

AS4C16M16SA-6BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.

Laos

AS4C16M16SA-6BIN

AS4C16M16SA-6BIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.

Laos

AS4C16M16SA-7TCNTR

AS4C16M16SA-7TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.

Laos

AS4C16M32MD1-5BCNTR

AS4C16M32MD1-5BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.

Laos

AS4C16M16SA-6TAN

AS4C16M16SA-6TAN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.

Laos

AS4C16M16SA-7BCNTR

AS4C16M16SA-7BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.

Laos

AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.

Laos

AS4C16M16SA-7TCN

AS4C16M16SA-7TCN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.

Laos

AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.

Laos

AS4C16M32MD1-5BCN

AS4C16M32MD1-5BCN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.

Laos

AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.