Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > AS4C16M32MD1-5BINTR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5222748AS4C16M32MD1-5BINTR piltAlliance Memory, Inc.

AS4C16M32MD1-5BINTR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$3.735
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    AS4C16M32MD1-5BINTR
  • Tootja / bränd
    Alliance Memory, Inc.
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    AS4C16M32MD1-5BINTR.pdf
  • ECAD -mudel
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Pakkuja seadme pakett
    90-FBGA (8x13)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    90-VFBGA
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    512Mb (16M x 32)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-FBGA (8x13)
  • Kellade sagedus
    200MHz
  • Juurdepääsuaeg
    5ns

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "AS4C16M32MD1-5BINTR" seotud tooted.
AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M32MD1-5BIN

AS4C16M32MD1-5BIN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCN

AS4C16M32MD1-5BCN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16SA-7BCNTR

AS4C16M16SA-7BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C1M16S-6TCN

AS4C1M16S-6TCN

Kirjeldus: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCN

AS4C1G8MD3L-12BCN

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16SA-6TIN

AS4C16M16SA-6TIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M32MSA-6BIN

AS4C16M32MSA-6BIN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCNTR

AS4C16M32MD1-5BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C1M16S-6TCNTR

AS4C1M16S-6TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCNTR

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16SA-7TCN

AS4C16M16SA-7TCN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16SA-7BCN

AS4C16M16SA-7BCN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16SA-7TCNTR

AS4C16M16SA-7TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M32MSA-6BINTR

AS4C16M32MSA-6BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16SA-6TINTR

AS4C16M16SA-6TINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16SA-6TCNTR

AS4C16M16SA-6TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.