Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > AS4C16M32MSA-6BIN
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5548335AS4C16M32MSA-6BIN piltAlliance Memory, Inc.

AS4C16M32MSA-6BIN

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$6.06
10+
$5.529
25+
$5.424
50+
$5.387
190+
$4.832
380+
$4.814
570+
$4.513
1140+
$4.321
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    AS4C16M32MSA-6BIN
  • Tootja / bränd
    Alliance Memory, Inc.
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    AS4C16M32MSA-6BIN.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile SDRAM
  • Pakkuja seadme pakett
    90-FBGA (8x13)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    90-VFBGA
  • Muud nimed
    1450-1458
    AS4C16M32MSA-6BIN-ND
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    512Mb (16M x 32)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile SDRAM Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-FBGA (8x13)
  • Kellade sagedus
    166MHz
  • Juurdepääsuaeg
    5.4ns

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "AS4C16M32MSA-6BIN" seotud tooted.
AS4C256M16D3-12BAN

AS4C256M16D3-12BAN

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C1M16S-7TCN

AS4C1M16S-7TCN

Kirjeldus: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16SA-7TCN

AS4C16M16SA-7TCN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C1M16S-6TCN

AS4C1M16S-6TCN

Kirjeldus: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C1M16S-6TCNTR

AS4C1M16S-6TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCN

AS4C16M32MD1-5BCN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C1M16S-6TIN

AS4C1M16S-6TIN

Kirjeldus: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCNTR

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCNTR

AS4C16M32MD1-5BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M32MD1-5BIN

AS4C16M32MD1-5BIN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16SA-7TCNTR

AS4C16M16SA-7TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M32MD1-5BINTR

AS4C16M32MD1-5BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C1M16S-7TCNTR

AS4C1M16S-7TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCN

AS4C1G8MD3L-12BCN

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C1M16S-6TINTR

AS4C1M16S-6TINTR

Kirjeldus: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M32MSA-6BINTR

AS4C16M32MSA-6BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.