Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - RF > NE3512S02-T1C-A
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3869665NE3512S02-T1C-A piltCEL (California Eastern Laboratories)

NE3512S02-T1C-A

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NE3512S02-T1C-A
  • Tootja / bränd
    CEL (California Eastern Laboratories)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    HJ-FET NCH 13.5DB S02
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.NE3512S02-T1C-A.pdf
    2.NE3512S02-T1C-A.pdf
  • Pinge - test
    2V
  • Pinge - hinnatud
    4V
  • Transistori tüüp
    HFET
  • Pakkuja seadme pakett
    S02
  • Seeria
    -
  • Võimsus
    -
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    4-SMD, Flat Leads
  • Muud nimed
    NE3512S02-T1C-ACT
  • Müra joonis
    0.35dB
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kasu
    13.5dB
  • Sagedus
    12GHz
  • Täpsem kirjeldus
    RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02
  • Praegune hindamine
    70mA
  • Praegune - test
    10mA
  • Baasosa number
    NE3512

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "NE3512S02-T1C-A" seotud tooted.
NE3509M04-A

NE3509M04-A

Kirjeldus: FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3509M04-EVNF24-A

NE3509M04-EVNF24-A

Kirjeldus: EVAL DEV RF NE3509M04

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3513M04-T2B-A

NE3513M04-T2B-A

Kirjeldus: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3515S02-T1D-A

NE3515S02-T1D-A

Kirjeldus: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3511S02-T1C-A

NE3511S02-T1C-A

Kirjeldus: IC AMP RF LNA 13.5DB S02

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3509M04-T2-A

NE3509M04-T2-A

Kirjeldus: FET RF 4V 2GHZ SOT-343

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3513M04-T2-A

NE3513M04-T2-A

Kirjeldus: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3512S02-A

NE3512S02-A

Kirjeldus: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3513M04-A

NE3513M04-A

Kirjeldus: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3511S02-A

NE3511S02-A

Kirjeldus: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3508M04-T2-A

NE3508M04-T2-A

Kirjeldus: FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3516S02-A

NE3516S02-A

Kirjeldus: IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3514S02-A

NE3514S02-A

Kirjeldus: HJ-FET NCH 10DB S02

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3510M04-T2-A

NE3510M04-T2-A

Kirjeldus: FET RF 4V 4GHZ M04

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3508M04-EVNF23-A

NE3508M04-EVNF23-A

Kirjeldus: EVAL DEV RF NE3508M04

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3516S02-T1C-A

NE3516S02-T1C-A

Kirjeldus: IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1C-A

Kirjeldus: HJ-FET NCH 10DB S02

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3515S02-T1C-A

NE3515S02-T1C-A

Kirjeldus: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3510M04-A

NE3510M04-A

Kirjeldus: FET RF 4V 4GHZ M04

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3515S02-A

NE3515S02-A

Kirjeldus: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.