Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - RF > NE3515S02-T1D-A
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3650876

NE3515S02-T1D-A

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NE3515S02-T1D-A
  • Tootja / bränd
    CEL (California Eastern Laboratories)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NE3515S02-T1D-A.pdf
  • Pinge - test
    2V
  • Pinge - hinnatud
    4V
  • Transistori tüüp
    HFET
  • Pakkuja seadme pakett
    S02
  • Seeria
    -
  • Võimsus
    14dBm
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    4-SMD, Flat Leads
  • Müra joonis
    0.3dB
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kasu
    12.5dB
  • Sagedus
    12GHz
  • Täpsem kirjeldus
    RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12.5dB 14dBm S02
  • Praegune hindamine
    88mA
  • Praegune - test
    10mA

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Saatmine
Makse
Järgnev on "NE3515S02-T1D-A" seotud tooted.
NE3513M04-A

NE3513M04-A

Kirjeldus: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A

Kirjeldus: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3520S03-A

NE3520S03-A

Kirjeldus: FET RF 4V 20GHZ S03

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3513M04-T2B-A

NE3513M04-T2B-A

Kirjeldus: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3515S02-A

NE3515S02-A

Kirjeldus: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3517S03-T1C-A

NE3517S03-T1C-A

Kirjeldus: FET RF 4V 20GHZ S03

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3521M04-A

NE3521M04-A

Kirjeldus: IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3520S03-T1C-A

NE3520S03-T1C-A

Kirjeldus: FET RF 4V 20GHZ S03

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3516S02-T1C-A

NE3516S02-T1C-A

Kirjeldus: IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3X1WH6

NE3X1WH6

Kirjeldus: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Tootjad: Panduit
Laos
RFQ
NE3513M04-T2-A

NE3513M04-T2-A

Kirjeldus: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3512S02-A

NE3512S02-A

Kirjeldus: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3515S02-T1C-A

NE3515S02-T1C-A

Kirjeldus: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3516S02-A

NE3516S02-A

Kirjeldus: IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3511S02-T1C-A

NE3511S02-T1C-A

Kirjeldus: IC AMP RF LNA 13.5DB S02

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3X1WH6-A

NE3X1WH6-A

Kirjeldus: WIRE DUCT SLOTTED ADH SCRW WT 6'

Tootjad: Panduit
Laos
RFQ
NE3514S02-A

NE3514S02-A

Kirjeldus: HJ-FET NCH 10DB S02

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3X2WH6

NE3X2WH6

Kirjeldus: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Tootjad: Panduit
Laos
RFQ
NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1C-A

Kirjeldus: HJ-FET NCH 10DB S02

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3521M04-T2-A

NE3521M04-T2-A

Kirjeldus: IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.