Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - RF > NE3517S03-T1C-A
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1602830

NE3517S03-T1C-A

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NE3517S03-T1C-A
  • Tootja / bränd
    CEL (California Eastern Laboratories)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    FET RF 4V 20GHZ S03
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NE3517S03-T1C-A.pdf
  • Pinge - test
    2V
  • Pinge - hinnatud
    4V
  • Transistori tüüp
    HFET
  • Pakkuja seadme pakett
    S03
  • Seeria
    -
  • Võimsus
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    4-SMD, Flat Leads
  • Müra joonis
    0.7dB
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kasu
    13.5dB
  • Sagedus
    20GHz
  • Täpsem kirjeldus
    RF Mosfet HFET 2V 10mA 20GHz 13.5dB S03
  • Praegune hindamine
    15mA
  • Praegune - test
    10mA

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "NE3517S03-T1C-A" seotud tooted.
NE3X2WH6

NE3X2WH6

Kirjeldus: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Tootjad: Panduit
Laos
RFQ
NE3520S03-T1C-A

NE3520S03-T1C-A

Kirjeldus: FET RF 4V 20GHZ S03

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3X3WH6-A

NE3X3WH6-A

Kirjeldus: WIRE DUCT SLOTTED ADH SCRW WT 6'

Tootjad: Panduit
Laos
RFQ
NE3513M04-T2-A

NE3513M04-T2-A

Kirjeldus: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3515S02-T1C-A

NE3515S02-T1C-A

Kirjeldus: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3X1WH6-A

NE3X1WH6-A

Kirjeldus: WIRE DUCT SLOTTED ADH SCRW WT 6'

Tootjad: Panduit
Laos
RFQ
NE3513M04-T2B-A

NE3513M04-T2B-A

Kirjeldus: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3514S02-A

NE3514S02-A

Kirjeldus: HJ-FET NCH 10DB S02

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3513M04-A

NE3513M04-A

Kirjeldus: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1C-A

Kirjeldus: HJ-FET NCH 10DB S02

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3516S02-T1C-A

NE3516S02-T1C-A

Kirjeldus: IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3X4WH6

NE3X4WH6

Kirjeldus: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Tootjad: Panduit
Laos
RFQ
NE3515S02-A

NE3515S02-A

Kirjeldus: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3521M04-A

NE3521M04-A

Kirjeldus: IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3X1WH6

NE3X1WH6

Kirjeldus: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Tootjad: Panduit
Laos
RFQ
NE3521M04-T2-A

NE3521M04-T2-A

Kirjeldus: IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3515S02-T1D-A

NE3515S02-T1D-A

Kirjeldus: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3X3WH6

NE3X3WH6

Kirjeldus: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Tootjad: Panduit
Laos
RFQ
NE3516S02-A

NE3516S02-A

Kirjeldus: IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
NE3520S03-A

NE3520S03-A

Kirjeldus: FET RF 4V 20GHZ S03

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.