Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > D1G-T
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
660008D1G-T piltDiodes Incorporated

D1G-T

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
5000+
$0.059
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    D1G-T
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 50V 1A T1
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    D1G-T.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1V @ 1A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    50V
  • Pakkuja seadme pakett
    T-1
  • Kiirus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    2µs
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    T1, Axial
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    7 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 50V 1A Through Hole T-1
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    5µA @ 50V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    8pF @ 4V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "D1G-T" seotud tooted.
SBYV26C-E3/54

SBYV26C-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
D1G133-DC13-52

D1G133-DC13-52

Kirjeldus: BLOWER

Tootjad: ebm-papst Inc.
Laos
RFQ
MS108E3/TR8

MS108E3/TR8

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 80V 1A DO204AL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
BAV21W-7

BAV21W-7

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD123

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N5804US

1N5804US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1.1A

Tootjad: Semtech
Laos
RFQ
D1G133-AB39-52

D1G133-AB39-52

Kirjeldus: BLOWER

Tootjad: ebm-papst Inc.
Laos
RFQ
BAT42-TR

BAT42-TR

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES2DHR5G

ES2DHR5G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
V8P10HM3_A/I

V8P10HM3_A/I

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
QH12BZ600

QH12BZ600

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB

Tootjad: Power Integrations
Laos
RFQ
SS12P2LHM3/86A

SS12P2LHM3/86A

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 20V 12A TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
D1G146-AA33-52

D1G146-AA33-52

Kirjeldus: BLOWER

Tootjad: ebm-papst Inc.
Laos
RFQ
D1G133-DC17-09

D1G133-DC17-09

Kirjeldus: FAN BLOWER 203X232MM 48VDC WIRE

Tootjad: ebm-papst Inc.
Laos
RFQ
CN5179 BK

CN5179 BK

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 20V DO35

Tootjad: Central Semiconductor
Laos
RFQ
D1G133-AB29-52

D1G133-AB29-52

Kirjeldus: BLOWER

Tootjad: ebm-papst Inc.
Laos
RFQ
SS34HE3/9AT

SS34HE3/9AT

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
D1G133-AB29-20

D1G133-AB29-20

Kirjeldus: BLOWER

Tootjad: ebm-papst Inc.
Laos
RFQ
S2JHM4G

S2JHM4G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
D1G133-DC17-52

D1G133-DC17-52

Kirjeldus: BLOWER

Tootjad: ebm-papst Inc.
Laos
RFQ
VS-10ETS12SPBF

VS-10ETS12SPBF

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.