1N5804US

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

250+

$11.685

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

1N5804US
Tootja / bränd

Semtech
Varukogus

Laos
Kirjeldus

DIODE GEN PURP 100V 1.1A
Lead Free status / RoHS staatus
Andmelehed

1N5804US.pdf
Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui

875mV @ 1A
Pinge - DC reverse (Vr) (max)

100V
Pakkuja seadme pakett

-
Kiirus

Fast Recovery = 200mA (Io)
Seeria

-
Pöörde taastamise aeg (trr)

25ns
Pakend

Bulk
Pakett / kott

SQ-MELF
Muud nimed

1N5804USS
Töötemperatuur - ühenduskoht

-
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Tootja Standardne pliiaeg

46 Weeks
Diode tüüp

Standard
Täpsem kirjeldus

Diode Standard 100V 1.1A Surface Mount
Praegune - tagasikäik @ Vr

1µA @ 100V
Jooksev - keskmine parandatud (Io)

1.1A
Mahtuvus @ Vr, F

25pF @ 5V, 1MHz

Järgnev on "1N5804US" seotud tooted.

1N5802

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5807

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5802

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3.3A AXIAL

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5806TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5806US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5807

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5804

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5807US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5804

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3.3A AXIAL

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5803

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5770

Kirjeldus: TVS DIODE 10CFLATPACK

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5802US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1.1A

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5806C.TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5807US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 6A

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5805

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5774

Kirjeldus: TVS DIODE 14FLATPACK

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5772

Kirjeldus: TVS DIODE 10CFLATPACK

Tootjad: Microsemi Corporation

Laos

RFQ

1N5802US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5804US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5806US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1.1A

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Eelregistreerimine

1N5804US

Küsi hinnapakkumist

võrdlushind (USA dollarites)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

1N5802

1N5807

1N5802

1N5806TR

1N5806US

1N5807

1N5804

1N5807US

1N5804

1N5803

1N5770

1N5802US

1N5806C.TR

1N5807US

1N5805

1N5774

1N5772

1N5802US

1N5804US

1N5806US

Vali keel

Praegune keel