Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMG4435SSS-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1883965DMG4435SSS-13 piltDiodes Incorporated

DMG4435SSS-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.232
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMG4435SSS-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMG4435SSS-13.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±25V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SOP
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 11A, 20V
  • Voolukatkestus (max)
    2.5W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    DMG4435SSS-13DITR
    DMG4435SSS13
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1614pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    35.4nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    5V, 20V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 30V 7.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    7.3A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMG4435SSS-13" seotud tooted.
DMG3418L-7

DMG3418L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG3418L-13

DMG3418L-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4406LSS-13

DMG4406LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4712SSS-13

DMG4712SSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4468LFG

DMG4468LFG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4468LK3-13

DMG4468LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4466SSSL-13

DMG4466SSSL-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG3N60SJ3

DMG3N60SJ3

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7

Kirjeldus: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG3420U-7

DMG3420U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG3415UFY4-7

DMG3415UFY4-7

Kirjeldus: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4800LFG-7

DMG4800LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4710SSS-13

DMG4710SSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG3N60SCT

DMG3N60SCT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.