Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMG4468LK3-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2320072DMG4468LK3-13 piltDiodes Incorporated

DMG4468LK3-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.70
10+
$0.592
100+
$0.444
500+
$0.326
1000+
$0.252
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMG4468LK3-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    DMG4468LK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.95V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-252-3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 11.6A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.68W (Ta)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    DMG4468LK3-13DICT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    867pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18.85nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 9.7A (Ta) 1.68W (Ta) Surface Mount TO-252-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    9.7A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMG4468LK3-13" seotud tooted.
DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13

Kirjeldus: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4466SSSL-13

DMG4466SSSL-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4468LFG

DMG4468LFG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4710SSS-13

DMG4710SSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4406LSS-13

DMG4406LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4435SSS-13

DMG4435SSS-13

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4800LFG-7

DMG4800LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG3N60SJ3

DMG3N60SJ3

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4712SSS-13

DMG4712SSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG3N60SCT

DMG3N60SCT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.