Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMG7702SFG-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3704859DMG7702SFG-13 piltDiodes Incorporated

DMG7702SFG-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.223
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMG7702SFG-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMG7702SFG-13.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerDI3333-8
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10 mOhm @ 13.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    890mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-PowerWDFN
  • Muud nimed
    DMG7702SFG-13DI
    DMG7702SFG-13DI-ND
    DMG7702SFG-13DITR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    4310pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14.7nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    Schottky Diode (Body)
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 12A (Ta) 890mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMG7702SFG-13" seotud tooted.
DMG904010R

DMG904010R

Kirjeldus: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
DMG6968UTS-13

DMG6968UTS-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG8601UFG-7

DMG8601UFG-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG7N65SJ3

DMG7N65SJ3

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG7401SFGQ-13

DMG7401SFGQ-13

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG8N65SCT

DMG8N65SCT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG7401SFG-7

DMG7401SFG-7

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG7702SFG-7

DMG7702SFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG7401SFGQ-7

DMG7401SFGQ-7

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG7401SFG-13

DMG7401SFG-13

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG7408SFG-7

DMG7408SFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG8880LK3-13

DMG8880LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG7430LFG-7

DMG7430LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG6968U-7

DMG6968U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG8880LSS-13

DMG8880LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG6968UQ-7

DMG6968UQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG8822UTS-13

DMG8822UTS-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG7N65SCTI

DMG7N65SCTI

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG7N65SCT

DMG7N65SCT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG6968UDM-7

DMG6968UDM-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.