Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMG8N65SCT
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3731932

DMG8N65SCT

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
50+
$1.328
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMG8N65SCT
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    DMG8N65SCT.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220AB
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.3 Ohm @ 4A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    125W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-220-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Tootja Standardne pliiaeg
    22 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1217pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    650V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 650V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMG8N65SCT" seotud tooted.
DMG963H50R

DMG963H50R

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
DMG7702SFG-7

DMG7702SFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG963010R

DMG963010R

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
DMG8822UTS-13

DMG8822UTS-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG963HD0R

DMG963HD0R

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
DMG963HC0R

DMG963HC0R

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
DMG963H10R

DMG963H10R

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
DMG8880LK3-13

DMG8880LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG8880LSS-13

DMG8880LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG964010R

DMG964010R

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
DMG7430LFG-7

DMG7430LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG963HE0R

DMG963HE0R

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
DMG904010R

DMG904010R

Kirjeldus: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
DMG7N65SCTI

DMG7N65SCTI

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG7702SFG-13

DMG7702SFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG963020R

DMG963020R

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
DMG963030R

DMG963030R

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
DMG7N65SJ3

DMG7N65SJ3

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG7N65SCT

DMG7N65SCT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG8601UFG-7

DMG8601UFG-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.