Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMJ70H1D3SH3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5229477DMJ70H1D3SH3 piltDiodes Incorporated

DMJ70H1D3SH3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.25
75+
$0.998
150+
$0.873
525+
$0.677
1050+
$0.535
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMJ70H1D3SH3
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    DMJ70H1D3SH3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-251
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    41W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Muud nimed
    DMJ70H1D3SH3-ND
    DMJ70H1D3SH3DI
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    7 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    351pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.9nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    700V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 700V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4.6A (Tc)

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMJ70H1D3SH3" seotud tooted.
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Tootjad: Skyworks Solutions, Inc.
Laos
RFQ
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
NCV8440STT1G

NCV8440STT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT-223-4

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Kirjeldus: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
FQP19N20L

FQP19N20L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 21A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
NTDV18N06LT4G

NTDV18N06LT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
TSM60NB380CF C0G

TSM60NB380CF C0G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 11A ITO220S

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
SIA461DJ-T1-GE3

SIA461DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IXFN180N25T

IXFN180N25T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
SI5449DC-T1-E3

SI5449DC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO251

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
IXFV12N120PS

IXFV12N120PS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.