Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMJ70H601SK3-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5401069DMJ70H601SK3-13 piltDiodes Incorporated

DMJ70H601SK3-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
75+
$1.439
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMJ70H601SK3-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    DMJ70H601SK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-252, (D-Pak)
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 2.1A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    125W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    686pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20.9nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    700V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 700V 8A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMJ70H601SK3-13" seotud tooted.
AOT12N65_001

AOT12N65_001

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V TO220

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Tootjad: Skyworks Solutions, Inc.
Laos
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
IRF6706S2TRPBF

IRF6706S2TRPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
IRFU9024

IRFU9024

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 8.8A I-PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
NVMFS6B85NLT1G

NVMFS6B85NLT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO251

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Kirjeldus: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
IPP65R310CFDXKSA1

IPP65R310CFDXKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
ECH8419-TL-H

ECH8419-TL-H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 35V 9A ECH8

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCP7N60_F080

FCP7N60_F080

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
STH12N120K5-2

STH12N120K5-2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.