Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN10H099SFG-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1686557DMN10H099SFG-7 piltDiodes Incorporated

DMN10H099SFG-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2000+
$0.275
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN10H099SFG-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN10H099SFG-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerDI3333-8
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80 mOhm @ 3.3A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    980mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-PowerWDFN
  • Muud nimed
    DMN10H099SFG-7DITR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1172pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25.2nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 4.2A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4.2A (Ta)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN10H099SFG-7" seotud tooted.
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 12A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 4.2A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.