Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN10H099SK3-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6097160DMN10H099SK3-13 piltDiodes Incorporated

DMN10H099SK3-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.26
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN10H099SK3-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 17A TO252
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    DMN10H099SK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-252
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80 mOhm @ 3.3A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    34W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    DMN10H099SK3-13DITR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1172pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25.2nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 17A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount TO-252
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    17A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN10H099SK3-13" seotud tooted.
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 12A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 4.2A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.