Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN10H220LE-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3953600DMN10H220LE-13 piltDiodes Incorporated

DMN10H220LE-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.25
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN10H220LE-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN10H220LE-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-223
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    220 mOhm @ 1.6A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.8W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-261-4, TO-261AA
  • Muud nimed
    DMN10H220LE-13DITR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    16 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    401pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.3nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 2.3A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2.3A (Ta)
  • Baasosa number
    DMN10H22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN10H220LE-13" seotud tooted.
DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H220LVT-13

DMN10H220LVT-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H220L-7

DMN10H220L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H220LQ-13

DMN10H220LQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H170SVTQ-13

DMN10H170SVTQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1150UFB-7B

DMN1150UFB-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1150UFL3-7

DMN1150UFL3-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1260UFA-7B

DMN1260UFA-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H700S-7

DMN10H700S-7

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H220L-13

DMN10H220L-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 12A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H220LVT-7

DMN10H220LVT-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H700S-13

DMN10H700S-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 100V 700MA SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H170SVTQ-7

DMN10H170SVTQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H170SVT-7

DMN10H170SVT-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1250UFEL-7

DMN1250UFEL-7

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.