Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN1150UFB-7B
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6307750DMN1150UFB-7B piltDiodes Incorporated

DMN1150UFB-7B

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
10000+
$0.069
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN1150UFB-7B
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN1150UFB-7B.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±6V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    3-DFN1006 (1.0x0.6)
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    500mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    3-UFDFN
  • Muud nimed
    DMN1150UFB-7BDITR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    20 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    106pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.5nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.8V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    12V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 12V 1.41A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    1.41A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN1150UFB-7B" seotud tooted.
DMN15H310SK3-13

DMN15H310SK3-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 150V 8.3A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN16M9UCA6-7

DMN16M9UCA6-7

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN13H750S-7

DMN13H750S-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H220LVT-13

DMN10H220LVT-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H220L-7

DMN10H220L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN13M9UCA6-7

DMN13M9UCA6-7

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN13H750S-13

DMN13H750S-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2004DMK-7

DMN2004DMK-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H220LQ-13

DMN10H220LQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN15H310SE-13

DMN15H310SE-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H170SVTQ-7

DMN10H170SVTQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1260UFA-7B

DMN1260UFA-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1250UFEL-7

DMN1250UFEL-7

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1150UFL3-7

DMN1150UFL3-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H220L-13

DMN10H220L-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H700S-7

DMN10H700S-7

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H220LVT-7

DMN10H220LVT-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN10H700S-13

DMN10H700S-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 100V 700MA SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.