Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN2011UFDE-7

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

6785671

DMN2011UFDE-7 pilt

Diodes Incorporated

DMN2011UFDE-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

3000+

$0.263

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

DMN2011UFDE-7
Tootja / bränd

Diodes Incorporated
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

DMN2011UFDE-7.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (max)

±12V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

U-DFN2020-6 (Type E)
Seeria

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Voolukatkestus (max)

610mW (Ta)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

6-UDFN Exposed Pad
Muud nimed

DMN2011UFDE-7DITR
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

16 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

2248pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

1.5V, 4.5V
Vooluallikas (Vdss)

20V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 20V 11.7A (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

11.7A (Ta)
Baasosa number

DMN2011

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Saatmine

Makse

Järgnev on "DMN2011UFDE-7" seotud tooted.

DMN2009LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN2014LHAB-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN2011UFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN2011UFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN2011UFX-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN2005UFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN2005LPK-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN2008LFU-13

Kirjeldus: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN2005UPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN2005UFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN2011UFDE-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN2010UDZ-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN2013UFDE-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN2005LP4K-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN2015UFDE-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN2008LFU-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.