Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN2013UFDE-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3405213DMN2013UFDE-7 piltDiodes Incorporated

DMN2013UFDE-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.222
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN2013UFDE-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN2013UFDE-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    U-DFN2020-6 (Type E)
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 8.5A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    660mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    6-UDFN Exposed Pad
  • Muud nimed
    DMN2013UFDE-7DITR
    DMN2013UFDE7
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    16 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2453pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25.8nC @ 8V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.5V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 10.5A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    10.5A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN2013UFDE-7" seotud tooted.
DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2016LHAB-7

DMN2016LHAB-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2015UFDE-7

DMN2015UFDE-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13

Kirjeldus: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2016LFG-7

DMN2016LFG-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.