Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN2080UCB4-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4028009

DMN2080UCB4-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.142
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN2080UCB4-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET BVDSS: 8V24V X2-WLB0808-
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN2080UCB4-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    X2-WLB0808-4
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    56 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    710mW
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    4-XFBGA, WLBGA
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Tootja Standardne pliiaeg
    17 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    540pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.4nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.5V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 3A (Ta) 710mW Surface Mount X2-WLB0808-4
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    3A (Ta)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN2080UCB4-7" seotud tooted.
DMN2112SN-7

DMN2112SN-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2058U-7

DMN2058U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2114SN-7

DMN2114SN-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2075UDW-7

DMN2075UDW-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2065UWQ-7

DMN2065UWQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2056U-13

DMN2056U-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2215UDM-7

DMN2215UDM-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2056U-7

DMN2056U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2058UW-7

DMN2058UW-7

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 8V 24V SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2230UQ-13

DMN2230UQ-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 20V 2A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2075U-7

DMN2075U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2050LFDB-7

DMN2050LFDB-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN21D2UFB-7B

DMN21D2UFB-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2065UW-7

DMN2065UW-7

Kirjeldus: MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2230U-7

DMN2230U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2058U-13

DMN2058U-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2170U-7

DMN2170U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2100UDM-7

DMN2100UDM-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN21D1UDA-7B

DMN21D1UDA-7B

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 20V X2DFN0806-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2104L-7

DMN2104L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.