Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN21D2UFB-7B
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3542192DMN21D2UFB-7B piltDiodes Incorporated

DMN21D2UFB-7B

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.49
10+
$0.347
100+
$0.228
500+
$0.135
1000+
$0.104
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN21D2UFB-7B
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN21D2UFB-7B.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±12V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    3-DFN1006 (1.0x0.6)
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    990 mOhm @ 100mA, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    380mW (Ta)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    3-UFDFN
  • Muud nimed
    DMN21D2UFB-7BDIDKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    16 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    27.6pF @ 16V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.93nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.5V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 760mA (Ta) 380mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    760mA (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN21D2UFB-7B" seotud tooted.
DMN2075UDW-7

DMN2075UDW-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2300UFL4-7

DMN2300UFL4-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2300U-7

DMN2300U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2075U-7

DMN2075U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN21D1UDA-7B

DMN21D1UDA-7B

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 20V X2DFN0806-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2300UFB-7B

DMN2300UFB-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2114SN-7

DMN2114SN-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2065UWQ-7

DMN2065UWQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2104L-7

DMN2104L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2230U-7

DMN2230U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2112SN-7

DMN2112SN-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2230UQ-7

DMN2230UQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2230UQ-13

DMN2230UQ-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 20V 2A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2215UDM-7

DMN2215UDM-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2080UCB4-7

DMN2080UCB4-7

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 8V24V X2-WLB0808-

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2250UFB-7B

DMN2250UFB-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2300UFB4-7B

DMN2300UFB4-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2170U-7

DMN2170U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2100UDM-7

DMN2100UDM-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2300UFD-7

DMN2300UFD-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.