Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN2230UQ-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5904290DMN2230UQ-7 piltDiodes Incorporated

DMN2230UQ-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.53
10+
$0.416
100+
$0.285
500+
$0.196
1000+
$0.147
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN2230UQ-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN2230UQ-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±12V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-23
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    110 mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    600mW (Ta)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    DMN2230UQ-7DICT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    20 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    188pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.3nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.8V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN2230UQ-7" seotud tooted.
DMN2300UFB-7B

DMN2300UFB-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN21D2UFB-7B

DMN21D2UFB-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2230UQ-13

DMN2230UQ-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 20V 2A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2300U-7

DMN2300U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2114SN-7

DMN2114SN-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2112SN-7

DMN2112SN-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2300UFB4-7B

DMN2300UFB4-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2250UFB-7B

DMN2250UFB-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2320UFB4-7B

DMN2320UFB4-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2300UFD-7

DMN2300UFD-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2215UDM-7

DMN2215UDM-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN21D1UDA-7B

DMN21D1UDA-7B

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 20V X2DFN0806-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2400UFB4-7

DMN2400UFB4-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2100UDM-7

DMN2100UDM-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2230U-7

DMN2230U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2400UFB-7

DMN2400UFB-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2400UFD-7

DMN2400UFD-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2170U-7

DMN2170U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2104L-7

DMN2104L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2300UFL4-7

DMN2300UFL4-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.