Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN2450UFD-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
828375DMN2450UFD-7 piltDiodes Incorporated

DMN2450UFD-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.077
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN2450UFD-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFETN-CHAN 20V X1-DFN1212-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN2450UFD-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±12V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    X1-DFN1212-3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 200mA, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    400mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    3-UDFN
  • Muud nimed
    DMN2450UFD-7DITR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    16 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    52pF @ 16V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.7nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.5V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 900mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    900mA (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN2450UFD-7" seotud tooted.
DMN2400UFDQ-7

DMN2400UFDQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2400UFDQ-13

DMN2400UFDQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2300UFL4-7

DMN2300UFL4-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2320UFB4-7B

DMN2320UFB4-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2300UFB4-7B

DMN2300UFB4-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2501UFB4-7

DMN2501UFB4-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2300UFD-7

DMN2300UFD-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2400UV-7

DMN2400UV-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2550UFA-7B

DMN2550UFA-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN26D0UFB4-7

DMN26D0UFB4-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 230MA DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2400UFB4-7

DMN2400UFB4-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2500UFB4-7

DMN2500UFB4-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN24H3D5L-13

DMN24H3D5L-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2400UFD-7

DMN2400UFD-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN24H3D5L-7

DMN24H3D5L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN25D0UFA-7B

DMN25D0UFA-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2400UFB-7

DMN2400UFB-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.