Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN26D0UFB4-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2648542DMN26D0UFB4-7 piltDiodes Incorporated

DMN26D0UFB4-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.44
10+
$0.40
100+
$0.224
500+
$0.12
1000+
$0.082
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN26D0UFB4-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN26D0UFB4-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±10V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    X2-DFN1006-3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3 Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    350mW (Ta)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    3-XFDFN
  • Muud nimed
    DMN26D0UFB4-7DICT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    14 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    14.1pF @ 15V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.5V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 230mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    230mA (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN26D0UFB4-7" seotud tooted.
DMN2990UFA-7B

DMN2990UFA-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 0.51A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2400UV-7

DMN2400UV-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3007LSS-13

DMN3007LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2990UFZ-7B

DMN2990UFZ-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3008SCP10-7

DMN3008SCP10-7

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3005LK3-13

DMN3005LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN24H3D5L-13

DMN24H3D5L-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2990UDJQ-7

DMN2990UDJQ-7

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CHANNEL 450MA SOT963

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN24H3D5L-7

DMN24H3D5L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2501UFB4-7

DMN2501UFB4-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3007LSSQ-13

DMN3007LSSQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2450UFD-7

DMN2450UFD-7

Kirjeldus: MOSFETN-CHAN 20V X1-DFN1212-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2550UFA-7B

DMN2550UFA-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2990UDJ-7

DMN2990UDJ-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2500UFB4-7

DMN2500UFB4-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN25D0UFA-7B

DMN25D0UFA-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.